samsung lanza su fotolitografía de 1 nm para vencer a tsmc y sk hynix
Samsung se enfrenta a dos gigantes: TSMC y SK Hynix. En el mundo de los chips, TSMC domina con un 70 % del mercado de fabricación de circuitos integrados para terceros, mientras que Samsung solo tiene un 7,2 % y SMIC ocupa el tercer lugar con 5,32 %.
En el sector de memoria, Samsung lidera con un 40 % de la producción de DRAM, SK Hynix sigue con 29 % y Micron con 26 %. Pero en la memoria de alta velocidad, SK Hynix controla un impresionante 70 % del mercado de HBM.
Para no quedarse atrás, Samsung está trabajando en una fotolitografía de 1 nm que se instalará en Tainan, Taiwán. La planta, llamada Fab 25, usará obleas de 12 pulgadas, contará con seis líneas de producción y empezará la fabricación a gran escala en 2030.
Al mismo tiempo, Samsung está afinando sus nodos de 2 nm, ya que su procesador Exynos 2600 para los Galaxy S26 y S26+ no alcanza el rendimiento y la eficiencia energética de los chips de 3 nm de TSMC.
La clave de la nueva generación será la tecnología Fork Sheet, que permite colocar un elemento no conductor entre los transistores para eliminar espacios vacíos y aumentar la densidad de transistores en la misma superficie.
¿Qué significa la fotolitografía de 1 nm para el futuro?
La fotolitografía de 1 nm es el siguiente gran salto en la miniaturización de chips. Samsung planea montar la planta Fab 25 en Tainan, con obleas de 12 pulgadas y seis líneas de producción, y comenzar la fabricación a gran escala en 2030.
¿Por qué Samsung no se rinde ante TSMC y SK Hynix?
Aunque TSMC domina el mercado con un 70 % y SK Hynix controla el 70 % de HBM, Samsung sigue compitiendo con un 7,2 % en circuitos integrados y un 40 % en DRAM. Además, su Exynos 2600 necesita mejorar para igualar a los chips de 3 nm de TSMC.
Descubre el secreto de la tecnología Fork Sheet
La Fork Sheet es una innovación que coloca un elemento no conductor entre los transistores, eliminando espacios vacíos y permitiendo una mayor densidad de transistores en la misma superficie. Esto podría revolucionar la producción de chips de 1 nm.